中國大陸加速記憶體自主化，
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，繼紫光集團大舉建立相關勢力、預計2021年量產後，
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，投入記憶體研發多年的合肥長鑫存儲（CXMT）更搶先紫光一步，
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，將在今年底開始量產DRAM，
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，並大舉挖角台灣南亞科、華邦電等記憶體廠人才，
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，記憶體界「紅色警戒」再起。中國第一家本土DRAM供應商長鑫存儲，
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，記憶體界「紅色警戒」再起。圖為DRAM示意圖。 本報系資料庫 分享 facebook 業界認為，雖然長鑫存儲量產初期全球市占仍小，卻是中國大陸邁向自主生產DRAM的重要突破，將為南亞科、華邦電等台灣記憶體廠帶來新的競爭威脅。 長鑫存儲是先前不斷改名的合肥長鑫，曾與福建晉華、長江存儲一度號稱「中國三大記憶體國家隊」。長鑫存儲規劃，今年底正式量產自主設計的1x奈米 8Gb DDR4 及低功耗（LP）DDR4 DRAM，該公司並宣稱是透過採用2009年破產的DRAM廠奇夢達的技術，再重新設計DRAM架構，避開使用美國技術使用，長鑫存儲也強調其自主開發技術，將能有效降低技術侵權疑慮。據了解，長鑫存儲位於合肥的DRAM廠已投資約80億美元（約新台幣2，450億元），已送樣自主設計的 8Gb DDR4 及LPDDR4 DRAM給客戶，一旦通過驗證，即可在年底進行量產，初期月產能約1萬片12吋晶圓，明年可望進一步推升至3萬到4萬片，將是中國首家量產主流DDR 4產品的DRAM廠，引起全球關注。記體業者分析，相較目前全球DRAM廠每月生產130萬片12吋晶圓，長鑫存儲在全球占比仍極低，也無法撼動目前三星電子、SK Hynix、美光三大廠的市場地位，卻是中國大陸邁向自主生產DRAM的一項重大突破。外資分析師認為，大陸正式量產DRAM，將會優先以供應內需市場，並切入利基型DRAM，將會對南亞科、華邦電、晶豪、鈺創等台廠造成負面衝擊。長鑫存儲即將量產DRAM，凸顯美中貿易戰讓中國體認須建立自主DRAM技術的決心。原本中國大陸三大DRAM戰隊，除了福建晉華遭美光控告竊取營業祕密及協助技術開發聯電研發團隊解散而停擺之外，紫光集團也積極衝刺DRAM自主生產，內部計劃未來十年投資人民幣8，000億元（逾新台幣3.5兆元），全力推動DRAM量產。紫光集團已宣布，透過旗下紫光國芯和重慶產業基金合作，計劃在重慶設廠，切入DRAM生產，規劃2021年量產。紫光旗下長江存儲已成功量產64層的3D儲存型快閃記憶體（NAND Flash），目前正大力擴編研發大軍，未來若完成DRAM量產，將成為中國大陸同時具備DRAM和NAND Flash二項記憶體產品的指標廠。 圖／經濟日報提供 分享 facebook，